Chúng tôi sử dụng cookie để mang đến cho bạn trải nghiệm duyệt web tốt hơn, phân tích lưu lượng truy cập trang web và cá nhân hóa nội dung. Bằng việc sử dụng trang web này, bạn đồng ý với việc chúng tôi sử dụng cookieChính sách bảo mật

Sản xuất bán dẫn đặt ra các yêu cầu cực kỳ khắt khe về độ tinh khiết vật liệu, độ ổn định nhiệt, khả năng chống ăn mòn plasma và độ chính xác cơ học. Với điện trở cao (>10¹⁴ Ω•cm), độ dẫn nhiệt cao, giãn nở nhiệt thấp, độ bền điện môi xuất sắc và khả năng chống ăn mòn plasma flo, silicon nitride đã trở thành thành phần gốm chính xác không thể thiếu trong thiết bị gia công wafer. So với nhôm và thạch anh, các thành phần silicon nitride giảm đáng kể ô nhiễm hạt, kéo dài thời gian bảo trì, cải thiện tỷ lệ sản xuất và hỗ trợ các nút quy trình tiên tiến hơn. Đồng thời, khả năng dẫn nhiệt và độ bền nhiệt độ cao giúp các phần tử gia nhiệt phản ứng nhanh hơn và tạo ra phân bố nhiệt độ đồng đều hơn, giúp thiết bị bán dẫn phát triển theo hướng công suất cao hơn và tiêu thụ năng lượng thấp hơn.

Lĩnh vực ứng dụng

  • 半导体

  • bộ phận gia nhiệt

    Được thiết kế cho môi trường nhiệt độ cao, độ tinh khiết cao như Xử lý nhiệt nhanh (RTP), bộ gia nhiệt MOCVD và tấm gia nhiệt ăn mòn plasma. Tấm gia nhiệt silicon nitride có thể được sản xuất dưới dạng bộ phận gia nhiệt đơn khối bằng cách in keo điện trở lên bên trong hoặc bề mặt của nền gốm, mang lại độ đồng đều nhiệt tuyệt vời, tốc độ gia nhiệt nhanh, khả năng chống ăn mòn và không bị nhiễm kim loại. So với các bộ gia nhiệt kim loại truyền thống, các bộ phận gia nhiệt silicon nitride có hiệu suất nhiệt cao hơn hơn 20%, cho phép kiểm soát nhiệt độ quy trình wafer chính xác hơn đồng thời ngăn ngừa ô nhiễm ion kim loại. Chúng phù hợp để sử dụng trong các quy trình sản xuất bán dẫn thế hệ mới đòi hỏi cao hơn.