Bột nitride silicon đạt chuẩn quang điện chủ yếu được sử dụng như chất giải phóng TC phun lên bề mặt bên trong của nồi thạch anh tinh khiết cao. Bột này đóng vai trò quan trọng trong sản xuất các thỏi silicon dòng đa tinh thể.
Bột nitride silicon đạt chuẩn quang điện của chúng tôi được sản xuất bằng một quy trình độc đáo. Chúng tôi bắt đầu với silicon tinh khiết cao làm nguyên liệu và áp dụng các kỹ thuật tiên tiến như kiểm soát chính xác tỷ lệ kích thước hạt và công nghệ tinh chế đa cấp. Những phương pháp này đảm bảo hiệu suất sản phẩm vượt trội. Toàn bộ quy trình được kiểm soát tỉ mỉ và linh hoạt, tạo ra bột có độ tinh khiết cao, phân bố kích thước hạt hẹp và độ ổn định vượt trội.
|
Mục kiểm tra |
Đơn vị |
Phạm vi chỉ số |
Thiết bị hoặc phương pháp kiểm tra |
|
pha α |
% |
≥93 |
Máy nhiễu xạ tia X JC/T 2342-2015 |
|
Fe |
ppm |
≤5 |
Phương pháp hấp thụ nguyên tử ISO10058-3:2008 |
|
Al |
ppm |
≤5 |
|
|
Ca |
ppm |
≤5 |
|
|
Mn |
ppm |
≤5 |
|
|
Cu |
ppm |
≤5 |
|
|
N |
% |
≥39 |
Thiết bị nitơ Kjeldahl GB/T 16555-2017 |
|
Frss Si |
% |
<0.3 |
Methpd thể tích khí GB/T 16555-2017 |
|
C |
% |
≤0,2 |
Máy phân tích carbon hồng ngoại tần số cao GB/T 16555-2017 |
|
D50 |
μm |
2 |
Máy phân tích kích thước hạt bằng laser GB/T19077-2016 |
|
O |
% |
≤1.0 |
Phương pháp dẫn nhiệt hồng ngoại xung khí trơ GB/T 16555-2017 |
