Nền gốm silicon nitride sở hữu nhiều ưu điểm như độ bền cao, độ dai cao và độ dẫn nhiệt vượt trội (130W/(m-k)). Hơn nữa, hệ số giãn nở nhiệt của nó gần giống với các chất bán dẫn Si, SiC và GaN. Do đó, nền gốm silicon nitride là lựa chọn lý tưởng để đóng gói các mô-đun công suất cao, khiến nó được xem là lựa chọn nền gốm phù hợp nhất.
Công ty chúng tôi sử dụng quy trình nitrat hóa trực tiếp để sản xuất bột silic có độ tinh khiết cao. Thông qua công nghệ độc quyền được cấp bằng sáng chế, chúng tôi kiểm soát vật liệu silicon, quy trình nitơ hóa và quy trình tinh luyện để chế tạo bột nitride silicon CF-HJ với độ tinh khiết cao, hàm lượng pha cao, phân bố kích thước hạt hẹp và hoạt tính nung kết xuất sắc. Loại bột nitride silicon này đã chấm dứt hiệu quả các độc quyền nước ngoài và có thể là một lựa chọn thay thế hoàn toàn khả thi cho bột nitride silicon nhập khẩu cùng chất lượng.
|
Mục kiểm tra |
Đơn vị |
Phạm vi chỉ số |
Thiết bị hoặc phương pháp kiểm tra |
|
pha α |
% |
≥90 |
Máy nhiễu xạ tia X JC/T 2342-2015 |
|
Fe |
ppm |
≤200 |
Phương pháp hấp thụ nguyên tử ISO10058-3:2008 |
|
Al |
ppm |
≤200 |
|
|
Ca |
ppm |
≤200 |
|
|
N |
% |
≥38.5 |
Thiết bị nitơ Kjeldahl GB/T 16555-2017 |
|
Frss Si |
% |
<0.2 |
Methpd thể tích khí GB/T 16555-2017 |
|
C |
% |
≤0.10 |
Máy phân tích carbon hồng ngoại tần số cao GB/T 16555-2017 |
|
D50 |
μm |
≤0.9 |
Máy phân tích kích thước hạt bằng laser GB/T19077-2016 |
|
O |
% |
≤1.4 |
Phương pháp dẫn nhiệt hồng ngoại xung khí trơ GB/T 16555-2017 |
